是8050三极管(SS8050)。8550是一种常用的普通三极管。它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管。
三极管8050结构:集电极-基极电压Vcbo:-40V;工作温度:-55℃ to +150℃ 和8050(NPN)相对;三极管8050的主要用途:开关应用,射频放大。
贴片三极管基本作用是放大,它可以把微弱的电信号放大到一定强度,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。
三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电极电流。并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是贴片三极管的放大作用。 三极管还可以作电子开关,以及配合其它电子元件还可以构成振荡器等。
在代换时,必须了解清楚原管子(或要求的管子)的性能(是通用三极管、是开关三极管等)、结构(如达林顿管、带阻贴片三极管、组合贴片三极管)或有特殊要求(如高反压、低噪声等)及—些主要参数然后从手册(或公司数据手册)找同一性能、功能、结构及参数相似的进行试验或代换,另外,要注意的是工作频率(是MF段、HF段、VHF段或UHF段等)。选用的要满足工作频率的要求。
三极管(也称为晶体管)是一种电子器件,它具有控制电流流动的能力。8550是一种特定型号的三极管,它通常用于放大或修改电信号。三极管由三个极接在一起的半导体材料构成,其中两个极被称为n极和p极,第三极被称为收集极。当电流流入n极时,它会在p极和收集极之间形成一个电动势,从而控制电流的流动。这种电动势可以被用来放大或修改电信号。8550三极管具有较高的电流放大倍数和较高的饱和电压,因此通常用于放大或修改电信号。它还可以用于其他电子应用,如控制电机、开关等。
品牌型号:联想拯救者Y9000P 系统:Windows 11
i78550u不是低端处理器。i78550u是英特尔第八代酷睿系列的移动处理器,属于中端级别的处理器,通常用于轻薄便携笔记本电脑和超极本等设备中。它拥有四个物理核心和八个线程,基础时钟频率为1.8GHz,最大睿频可达4.0GHz。相较于较低端的处理器,如Celeron和Pentium系列,i78550u具备更强的计算能力和更高的性能表现。
i7-8550U是英特尔第八代酷睿移动处理器,其主要功能特点包括:
1、四核心八线程设计:i7-8550U采用四核心八线程设计,可同时处理多项任务,大大提高计算效率。
2、高频率:i7-8550U的基础频率为1.8GHz,最高可加速至4GHz,具有较高的处理速度。
3、TDP功耗低:i7-8550U的TDP功耗为15W,能够提供良好的性能表现,同时也保证了较长的电池续航时间。
4、集成了英特尔UHD620显卡:支持DirectX12,可满足日常图像、视频等处理需求。
5、支持英特尔TurboBoost和Hyper-Threading技术:这些技术可以自动提高处理器频率,从而提高处理速度和性能表现。
6、内置智能缓存:i7-8550U的缓存具有智能学习功能,可以根据用户的使用习惯来提高缓存效率,提高系统响应速度。
7、支持DDR4内存:i7-8550U支持DDR4内存,可提供更快的数据传输速度和更高的内存容量。
集电极-基极电压Vcbo:-40V,工作温度:-55℃ to +150℃,最大集电极电流为1.5 A。直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极发射电压(VCEO):25;频率:150MHz。
三极管8550是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管。最大集电极电流为1.5 A。1脚=E(发射极,带箭头的那个),2脚=B(基极),3脚=C(集电极)。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
扩展资料
特征频率为当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积,即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.
电压/电流,用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。VCEO为集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现。
参考资料来源:百度百科-三极管8550
8550是PNP型三极管
拓展知识:
8550是NPN三极管,其结构与PNP三极管相同,但功能相反。当有电流流过三极管的基极和发射极时,三极管会导通,并发出一定量的光。NPN三极管的输出电压小于0.7V,而PNP三极管的输出电压大于0.7V。
8550是NPN三极管,由三个部件组成:基极、集电极和发射极。其中,基极是最小的输入端,集电极是输出端,而发射极是最大的输出端。NPN三极管的电流放大倍数在几十到几百之间,可以用于放大、检波、开关、振荡和逆变等电路中。
在使用8550三极管时,需要注意以下几点:首先,要确保三极管的输入电压小于0.7V;其次,在接入电路时,要正确选择集电极和发射极;最后,需要根据实际需要选择合适的电流放大倍数。
总之,8550是NPN三极管的一种,可以用于各种电路中,但在使用时需要注意电路原理和参数的选择。
8550,是 PNP 型三极管,只能用于驱动 +5V 的负载。驱动大于 +5V 的,必须用 NPN 型的。到我的百度空间看看,有现成的电路。
三极管8050和8550对管的参数 发表于:2009年12月23日 图1 8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图2 8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用,当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。8050S 8550S S8050 S8550 参数:耗散功率0.625W(贴片:0.3W)集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数:耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-3008050SS 8550SS 参数:耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数:耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300引脚排列多为EBCUTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数:耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数:按三极管后缀号分为C D E档C:120-200 D:160-300 E:280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集电极-发射极电压(VCEO):25; 频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是,在代换相应的8050或8550三极管时,除了型号匹配,放大倍数也是很重要的参数。
8550三极管引脚图
三极管8550
8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管
集电极-基极电压Vcbo:-40V
工作温度:-55℃ to +150℃
和8050(NPN)相对
主要用途:
开关应用
射频放大
s8550工作原理s8550工作原理:电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子不断地越过发射结进入基区,形成发射电流Ie。三管,全称应为半导体三管,也称双型晶体管,晶体三管,是一种控制电流的半导体器件。s8550的定义s8550作为音频放大器,应用于收录机,电动玩具等电子产品,三极管8550是一种常用的普通三极管,它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电电流lc,也有很小一部分电子与基区的空穴复合,扩散的电子流与复台电子流之比例决定了三管的放大能力。电磁炉三极管s8550和s8050如何检测好坏三极管S8550是PNP型三极管,S8050是NPN型三极管。将数字式万用表拨到二极管档,用万用表的红表笔接触三极管的任意一个管脚,然后黑表笔去测试其余两个管脚,然后反过来,用万用表的黑表笔接触三极管的任意一个管脚,然后红表笔去测试其余两个管脚,直到测试出如下结果:如果三极管的红表笔接其中一个管脚,而用黑表笔测其它两个管脚都导通且有电压显示,那么此三极管为NPN型三极管,红表笔所接的管脚为三极管的基极B。上述测试时其中万用表的黑表笔接其中一个脚的电压稍高,那么此脚为三极管的发射极E,剩下的一个脚电压偏低的就是三极管集电极C。如果三极管的黑表笔接其中一个管脚,而用红表笔测其它两个管脚都导通且有电压显示,那么此三极管为PNP型三极管,且黑表笔所接的脚为三极管的基极B。上述方法测试时其中万用表的红表笔接其中一个脚的电压稍高,那么此脚为三极管的发射极E,剩下的一个脚电压偏低的就是集电极C。扩展资料8050是NPN管,8550是PNP管,它们的耐压、功率、频率等什么都是一样的,只是极性不一样,所以它们做互补很好的。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里。NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为ebc;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为ebc。参考资料来源:百度百科-三极管三极管S8550可用什么三极管代换S8550平常可以使用9012、2N5401和2N2907这些PNP管直接代换,这几种三极管的功率、电压都在S8850的允许±值内,而且外形及引脚排列都一样,是完全可以替换的。在特定情况下,如实现检波或者作为开关等功能时,可用9012、9015、2N5551、3DG12等代替,在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的,不能随意替换,必需要用原参数管才能替换,否则电路不能进行正常工作。扩展资料:三极管的选型替换:1.首先要进行参数对比,如果不知道参数可以先在网络搜索他的规格书。2.知道参数,尤其是BVCBO,BVCEO,BVEBO,HFE,ft,VCEsat参数。通过各个参数的比较,找相似的产品。S8550特点:1.耗散功率PCM:0.625W;2.集电极电流ICM:0.5A;3.集电极-基极电压VCBO:40V。参考资料来源:百度百科—三极管三极管s8550和s8550d的区别?S8550和S8550D的主要参数都一样,后面的字母D是表示管子的放大倍数β的大小,带有字母D的,放大倍数β一般都在200以上。字母越靠后β越大。譬如:不少S8550后面都标的是D331,它们的β一般在200~300。这种型号的管子一般都是用作电子开关使用,对β要求不是很高,故一般可以互换使用。它们的参数如下:BVceo=25V,Pcm=1W,Icm=1.5A。它们的引脚排列都一样,你面对型号,从左到右引脚分别是:发射极、基极、集电极。
550三极管三个引脚ebc的接法:
1.1脚=E(发射极,带箭头的那个),如图所示:
2.2脚=B(基极,跟R13相接的那个),如图所示:
3.3脚=C(集电极,与E相对的那个),如图所示:
扩展资料
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
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