固态硬盘1TB的固态硬盘,其纳米数量可能在1000万纳米左右。根据查询相关资料信息显示,固态硬盘比传统机械硬盘更小,更节能,更紧凑,可以容纳更多的数据,比传统硬盘拥有更多的存储空间,因此纳米数量也更多。
进入3D时代之后,闪存从平面扩展变为垂直方向堆叠,相应的纳米工艺也发生一定回退。比如三星第一代3D闪存(32层堆叠)问世时从当时平面闪存的19nm直接退回到几年前的40nm工艺,单容量相比19nm平面闪存却有一定提升。一方面,采取老的纳米制程有助于闪存耐久度提升,另一方面纳米工艺制程不再直接影响闪存容量和性能,所以现在闪存颗粒只讲堆叠层数和存储密度,不再将纳米制程放在明面上。不过相信很多朋友还是非常关心具体数值的。存储即可就来透露一下,除了三星之外,美光的第一代3D闪存(32层堆叠)使用的也是40nm工艺,第二代64层堆叠产品才降至20nm。东芝最早提出了3D闪存结构,在应用推广上晚于三星一些,主要是为了等待技术的成熟。第一代48层堆叠3D闪存(东芝称BiCS2)就使用了19.5nm工艺,当代64层堆叠3D闪存(东芝称BiCS3)则使用当前领先的19nm工艺制造。BiCS2主要见于手机等移动存储芯片,譬如iPhone7 256G中使用的就是编号为THGBX6T1T82LFXF的东芝闪存芯片。BiCS23D闪存内部结构:最新一代的BiCS3,也就是东芝64层3D闪存的存储密度相比2D TLC闪存提升2.8倍,达到每平方毫米面积的晶片可记忆3.4Gb数据。最早使用它的是东芝原厂TR200固态硬盘。由于2.5寸规格空间充裕,TR200的闪存采用了多颗TSOP封装的颗粒,容量不变价格更便宜。TR200也是当前最便宜的原厂3D闪存固态硬盘之一,稳定耐用价格实惠。东芝BiCS3闪存的内部结构图,电子显微镜扫描:相比NAND闪存,原本是半导体制程应用急先锋的内存已经落后不少,当前最新的内存芯片还停留在18nm 2D水平上。由于三星的垄断,内存价格始终居高不下,也迟迟没有迈向3D化的动作。其实早在几年前就已经有3D内存理论被提出,基本原理与3D闪存类似,只不过推进3D化会增加短时内研发成本,而现在高度垄断之下躺着就能赚钱,又怎会积极推动技术跨越呢?近期内存、固态硬盘价格都有所回落,但从降幅来说,现在固态硬盘显然要比内存更值得买。据市场研究机构分析,近几个月将是闪存价格本年度内的低谷,也就是入手固态硬盘的最佳时机。要不要上车,大家看着办咯。
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纳米数小了好,因为这是科学发展带来的好处,由以前的大块头变身现在的轻便小机身,越发展体积越小速度快,内存大,其实就等于是以一个单位来算的,把这个单位比成房子,原来的一个房子能住10个人,经过技术整理把这个空间占用面积缩小了,同样的10个人的房子比原来的占地面积缩小了,但是还是能装10个人跟以前一样,只不过硬盘里装的是数据,不停的写入和读取,速度更快了
直接点纳米或RAY得链接地址就行了,你下载好了软件吗,点了过后会自动跳出来的啊 。。。因为第一个链接有时候牵扯到不良信息或者过期的信息,RAY会删掉下载链接,点击第二个虽然是网页无法显示,但是RaySource还是会自动跳出下载的
12纳米。根据查询腾讯网信息显示,现在最先进的CPU制程是5纳米,而SSD主控使用的最新制程是12纳米工艺(通常是在旗舰级PCIe4.0SSD上使用)。
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