• 内存时序数字是大好还是小好
• 内存超到2133时序多少算合适
• ddr42400内存最佳时序
• 内存时序高好还是低好
• 金士顿3600内存最佳时序
• ddr42400最佳时序
• CL9,cl10 11是指内存时序那么cl多少比较好cl指什么功能特点
• ddr3 2000内存最佳时序
• 海盗船3800内存最佳时序
• 内存的时序到底是越高越好还是越低越好

内存时序数字是大好还是小好

时序可以浅显的理解为内存的数据刷新速度每X个周期刷新一次，以便填充新的数据时序越小自然越好普通的DDR31600内存条一般都是CL9，也有CL10/11的而DDR32133的同样品牌同样价格的内存条，如果是延迟同样还是CL9的，那么他的售价要贵上一半因为内存频率增加了，而时序没有增加我们可以看到，很多厂家都推出了价格很低的DDR32400内存条，但是值得注意的是，这些廉价的内存时序是CL11，时钟周期比率是2T，电压是1.65V（普通是1.5V，低压1.35V）可以说除了带宽，一无是处。默认情况下，内存时序与稳定性没有太大关系对于内存超频来说，内存的体质（时序和耐不耐高电压）就是影响稳定性的关键

内存超到2133时序多少算合适

你这时序设置已经很好了。一般对于DDR3内存，2133MHz下，最好把CL值控制在11以内。你这已经是2133MHz下的CL9，9-9-9-24 1T的时序和CR设置，电压也只是1.5V出头，属于兼顾频率、时序、电压的设置，就这样用吧。

ddr42400内存最佳时序

CL15-17左右。普通的ddr42400内存条频率为2400MHz，时序CL15-17左右。几乎所有的DDR4代的内存条默认的频率只有2133MHz，所以即使你买的是高频内存条，也需要在主板BIOS设置中打开XMP（自动超频）或手动设置超频后才能达到商家所给出的频率，而且，很多主板并不支持超过2666MHz以上的频率，即使你的内存条是4000MHz的神条，也会自动降频到2666MHz使用，这个需要用户去看主板上的说明。

内存时序高好还是低好

相同频率的内存，时序越低越好。

时序里的CL-TRCD-TRP(11-11-11)，表示11个时钟，在1600Mhz的内存里默认时序是11-11-11， 1333Mhz默认是9-9-9. 

所以1600Mhz的内存，时序9-9-9的比1600Mhz 11-11-11时序的内存要快谢谢。

常见的超频，除了改频率1333 到 1600Mhz, 高手还会改时序。

内存时序

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，可通过参数手动设置。

基本解释

一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

参数简介

存取时序上面的表格展示的是一次普通的DRAM存储周期。首先，行地址信息会被送到DRAM中，经历了tRCD这段时间之后，行地址已经进行了“选通”。由于现今的存储器一般是SDRAM，我们可以一次多多个列提取信息，而每一次读取需要tCAS(R)这么多的时间。当列操作结束时，DRAM需要tRP这么多的时间进行预充电，以便为下一次存取操作做准备。而一般来说，tRAS》tRCD + tCAS + 2，这是因为需要留足够的时间给存取的数据去“流动”。经过这样的了解，我们可以通俗的理解这几个参数：

tCAS：列寻址所需要的时钟周期（周期的数量表示延迟的长短）

tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值

tRP：在下一个存储周期到来前，预充电需要的时钟周期

tRAS：对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期

金士顿3600内存最佳时序

金士顿3600内存最佳时序4000到4266频率。

内存条时序越低超频能力就越好，不过这是相对于内存条的频率一样来说，3600高于3200有400频率，而且时序18和16差距不大，对于高频率来说稍微超频一下就4000到4266频率，所以要比3200频率更有优势的。

内存条：

内存芯片的状态一直沿用到286初期。鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对计算机的发展造成了现实的阻碍。

有鉴于此，内存条便应运而生了。将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，电脑主板上也改用内存插槽。这样，把内存难以安装和更换的问题彻底解决了。

在80286主板发布之前，内存没有被世人重视。这个时候的内存直接固化在主板上，容量只有64 ～256KB。对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。

ddr42400最佳时序

1.ddr4内存时序参数3200(16)8G×16,CL 16-16-16 1.35V为好,默认DDR4 2133,1.2V,加载XMP可以直接提升频率为DDR4 3200 16-16-16-36 2T,高频下的电压为1.35V;2.ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序,首先应该从调整第二时序入手,放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率;ddr4内存与ddr4、ddr42内存不同,第一时序中的CR对内存频率和性能影响并不大;ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大,可以适当放宽以提高超频后的稳定性,tRRD对性能的影响则比较大,尽量避免牺牲tRRD来换取高频;第三时序虽然不起眼而且经常被遗忘,但是其对性能的影响也不小,不建议牺牲第三时序来换取高频,尤其是tRDRD和tWRWR;查看更多

CL9,cl10 11是指内存时序那么cl多少比较好cl指什么功能特点

　　CL9,cl10 11是指内存时序。　　内存延迟时间越短，电脑从内存中读取数据的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。　　CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。　　通常情况下，我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。

ddr3 2000内存最佳时序

时序10-10-10-30。DDR3-2000内存的时钟频率是1000MHz，其时钟周期为1ns。基于这个1ns的时钟，CL=7给出的绝对延迟为7ns。而更快的DDR3-2666（时钟1333MHz，每个周期0.75ns）则可能用更大的CL=9，但产生的绝对延迟6.75ns更短。

海盗船3800内存最佳时序

海盗船3800内存最佳时序是16，20，20，20，38。根据相关公开资料查询，超频至3800的参数如下，内存频率是3800，FCLK是1900，内存电压是1.38v至1.45v之间，大家可以实际测试最适合自己电脑的。内存时序：16，20，20，20，38。

内存的时序到底是越高越好还是越低越好

内存时序越低性能越好不过内存频率越高的话相应的时序也就会越高同频率的情况下时序越低越好